IGBT 模塊FZ400R12KE4分類原理

 IGBT 模塊UPS 系統(tǒng)可分為三大類：

1.離線/待機(jī)式：當(dāng)交流線路出現(xiàn)電壓時(shí)，繼電器繞過逆變器，逆變器保持關(guān)機(jī)狀態(tài)。電池充電器工作，保持電量充滿狀態(tài)。若交流電源故障，繼電器將UPS輸出切換到逆變器，逆變器在10至20毫秒的短暫中斷后啟動(dòng)，提供備用電源。

2.線上交互式：與離線式UPS類似，但包含了一些交流線路調(diào)制功能，可以調(diào)節(jié)交流電流輸出，在低線和高線輸入電壓情況下進(jìn)行補(bǔ)償，提供更穩(wěn)定的輸出電壓。該系統(tǒng)是線路調(diào)制器和離線式 UPS 的結(jié)合體。

3.在線/雙轉(zhuǎn)換式：在電池充電時(shí)，交流電輸入被轉(zhuǎn)換為直流電，然后再轉(zhuǎn)換回交流電。由此在交流線路故障時(shí)，系統(tǒng)將無縫切換到備用電池，讓輸出持續(xù)不間斷運(yùn)行。這類系統(tǒng)在任何條件下都能提供穩(wěn)定、干凈的交流電輸出，但轉(zhuǎn)換過程中會(huì)有固定的效率損耗。更為復(fù)雜的系統(tǒng)通過在交流線路工作期間部分繞過兩個(gè)轉(zhuǎn)換級(jí)來緩解這種情況，因此只有少量的電量會(huì)通過它們。如果交流電輸入發(fā)生故障，逆變器級(jí)能在不中斷輸出情況下滿負(fù)載工作。

 IGBT 模塊離線（待機(jī)）UPS 主要用于小型辦公室或家庭辦公環(huán)境，也可稱為 SOHO。離線 UPS 容量通常在 0 到 10 kVA 之間。該方案涵蓋了主要的電源分立式解決方案，通常分為基于 低頻變壓器和基于 高頻變壓器的兩類系統(tǒng)。它使用的場景是：當(dāng)交流線路出現(xiàn)電壓時(shí)，繼電器繞過逆變器，逆變器保持關(guān)機(jī)狀態(tài)。電池充電器工作，保持電量充滿狀態(tài)。若交流電源故障，繼電器將UPS輸出切換到逆變器，逆變器在 10 至 20 毫秒的短暫中斷后啟動(dòng)，提供備用電源。

 IGBT 模塊, 采用第四代TRENCHSTOP™ IGBT、第四代發(fā)射極控制二極管，是您設(shè)計(jì)工作的。特征描述：提高工作溫度Tvj op；低開關(guān)損耗；出色的堅(jiān)固性；具有正溫度系數(shù)特性的VCEsat；低 VCEsat；4 kV 交流 1 分鐘絕緣；封裝的 CTI > 400；高爬電距離和電氣間隙；絕緣基板；標(biāo)準(zhǔn)外殼。它們被應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括工業(yè)制造工藝、電信、數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療器械和小型辦公室或家庭辦公環(huán)境中，又被稱為 S.O.H.O。不間斷電源通常包括基于MOSFET的逆變器，采用12V或24V鉛酸電池供電。在額定功率更高的系統(tǒng)中，需要更高的電池電壓來限制工作電流。42V和72V系統(tǒng)的存在也是基于相同的原因，但由于這些系統(tǒng)不太常見，因此本參考設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是12V電池。UPS的電池可內(nèi)置或外置，汽車電池是外部使用的，內(nèi)部使用密封鉛酸電池。UPS 系統(tǒng)可分為三大類：離線/待機(jī) UPS, 線上交互式 UPS, 在線/雙轉(zhuǎn)換式 UPS。

 IGBT 模塊UPS系統(tǒng)通過兩階段的流程向連接的設(shè)備供電。首先，它們將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為直流電，然后將直流電轉(zhuǎn)換為調(diào)制后的純正弦波交流電。在停電期間，UPS系統(tǒng)將電池存儲(chǔ)的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。此外，在內(nèi)部故障或過載的情況下，它們會(huì)自動(dòng)繞過內(nèi)部元件，直接向連接的設(shè)備供電。直流-交流系統(tǒng)將直流電轉(zhuǎn)換為調(diào)制后的純正弦波交流電壓。在此階段， 2 級(jí) 或 3 級(jí) NPC 1/NPC 2 拓?fù)?，特別是 3 級(jí) NPC 1/ NPC 2 因其較高的效率而被廣泛使用。3 級(jí) NPC 1 可用于 600 V 設(shè)備，是 20 kHz 以上開關(guān)頻率操作，和高輸出電壓 UPS 型號(hào)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。3 級(jí) NPC 2 可用于 600 V 和 1200 V 設(shè)備，是 20 kHz 以下開關(guān)頻率操作的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，也是低輸出電壓 UPS 型號(hào)的。英飛凌 1200 V CoolSiC™ MOSFET 技術(shù)為變頻器設(shè)計(jì)師開創(chuàng)了新機(jī)會(huì)，讓他們可在使用簡單的 2 級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的同時(shí)，獲得比復(fù)雜的 3 級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)更高的效率和功率密度。